在半導(dǎo)體器件的制取全過程中，每一個全過程都牽涉到清理，清理的品質(zhì)立即危害到下一個全過程，乃至危害機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)量和可信性。因為ULSI處理速度的迅速提升和機(jī)器設(shè)備規(guī)格的減少，對集成ic表層的環(huán)境污染規(guī)定更為嚴(yán)苛。ULSI技術(shù)性必須吸咐不超過500平米/平米，金屬材料環(huán)境污染低于1010atom/cm2。芯片生產(chǎn)中每一個全過程的潛在性環(huán)境污染會造成缺點和機(jī)器設(shè)備常見故障。因而，硅單晶的清理造成了專業(yè)人員的留意。以往，很多生產(chǎn)商應(yīng)用手工制作清理的方式 ，一方面非常容易造成殘片的經(jīng)濟(jì)收益，另一方面，手工制作清理的硅單晶表層潔凈度很差，環(huán)境污染比較嚴(yán)重。下一個全過程中的達(dá)標(biāo)率較低。因而，硅單晶的清理技術(shù)性造成了大家的關(guān)心，發(fā)覺簡易合理的清理方式 是重中之重。文中詳細(xì)介紹了一種超聲波清洗技術(shù)性，其清理硅單晶的實際效果是一種非常值得營銷推廣的硅片超聲波清洗機(jī)清洗技術(shù)性。

　　集成ic表層的分子因為豎直切成片方位的離子鍵的毀壞而變?yōu)閼壹苕I。因而，亞鐵離子的環(huán)境污染更為比較嚴(yán)重。另外，因為耐磨材料中碳碳復(fù)合材料片的粒度大，切削后的硅單晶損壞層超過飄浮鍵的總數(shù)，非常容易吸咐各種各樣殘渣。如顆粒物有機(jī)化學(xué)殘渣無機(jī)物殘渣金屬離子硅煙塵等，磨片后硅單晶非常容易變藍(lán)發(fā)黑，使數(shù)控磨床不符合規(guī)定。硅片清洗的目地是清除各種各樣空氣污染物的潔凈度，立即決策ULSI具備較高的處理速度和可信性。這牽涉到高美化環(huán)境、水化學(xué)藥品和相對的機(jī)器設(shè)備和配套裝置。